Р-п переход

Свойства p-n-перехода. Полупроводниковый диод. Принцип действия транзистора.

Электронно-дырочным, или p-n переходом, называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости электронным и дырочным. Рассмотрим контакт двух полупроводников n- и p-типа. Величина работы выхода Ф определяется расстоянием от уровня Ферми до уровня вакуума.

1.5. Пробой p-n - перехода

Инерционность процесса обуславливается 2 факторами:. Перераспределением н. Для p-n-перехода характерны два состояния прямо- и обратно-смещенное , поэтому эту ёмкость можно условно разделить на 2 составляющие: диффузионная ёмкость , связанная с перераспределением н. Роль диэлектрика у барьерной емкости выполняет запрещенная зона, практически лишенная носителей.

22. Инерционные свойства р-п перехода. Барьерная емкость. Вольт-фарадные характеристики перехода.
p-n - переход
Образование электронно-дырочного перехода
Физические основы полупроводников
P-N переход: подробно простым языком
Что такое электронно-дырочный переход p-n-переход
Что такое P–N переход, объясняем простыми словами
p-n-переход
1.2 Ширина p-n перехода. Ёмкость p-n перехода.
Особенности строения полупроводников. p-n переход и его свойства

Свойства p - n -перехода. Примесные полупроводники. Донорная примесь: основные носители заряда - свободные электроны. Остается положительный ион примеси. Акцепторная примесь: основные носители заряда—дырки. Остается отрицательный ион примеси.

Инерционные свойства р-п перехода. Барьерная емкость. Вольт-фарадные характеристики перехода.
Принцип действия
Пробой p-n - перехода
Пробой p - n - перехода
Что такое электронно-дырочный переход p-n-переход
P-N-ПЕРЕХОД • Большая российская энциклопедия - электронная версия
Всё про P-N переход: прямой и обратный, их схемы
p-n-переход — Википедия
Образование электронно-дырочного перехода
Электронно - дырочный переход без внешнего воздействия

Электрические процессы в p-n переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой диодов , транзисторов и других. В полупроводнике p -типа , который получается посредством введения акцепторной примеси, концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов. В полупроводнике n -типа , который получается посредством донорной примеси, концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок.

Похожие статьи